买卖IC网 >> 产品目录 >> SI2336DS-T1-GE3 MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI2336DS-T1-GE3

库存数量：3981
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET
SI2336DS-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 8 V
漏极连续电流 5.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.042 Ohms at 4.5 V
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-23-3
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI2336DS-T1-GE3
SI2337DS
SI2337DS-T1-E3
SI2337DS-T1-GE3
SI2338DS
SI2338DS-T1-E3
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深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
  • SI2336DS-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.608 0.608
    25 0.456 11.4
    100 0.4 40
    250 0.346 86.5
    3,000 0.22 660
    6,000 0 0